Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Myakon’Kikh A.V.
Myakon’Kikh A.V.
IstinaResearcherID (IRID): 22477437
–

Статьи в журналах

    • 2017 Complementary study of the internal porous silicon layers formed under high-dose implantation of helium ions
    • Lomov A.A., Myakon’kikh A.V., Chesnokov Y.M., Shemukhin A.A., Oreshko A.P.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 62, № 2, с. 189-194 DOI
    • 2016 Study of the amorphization of surface silicon layers implanted by low-energy helium ions
    • Lomov A.A., Myakon’kikh A.V., Oreshko A.P., Shemukhin A.A.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 61, с. 173-180
    • 2013 Photovoltaic effect in a structure based on amorphous and nanoporous silicon formed by plasma immersion ion implantation
    • Myakon’Kikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V., Lukichev V.F.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 42, № 4, с. 246-252 DOI

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь