Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applicationsсборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2011 On the origin of the mobility reduction in bulk-Si, UTBOX-FDSOI and SiGe devices with ultrathin-EOT dielectrics
  • Ragnarsson L.A., Mitard J., Kauerauf T., De Keersgieter A., Schram T., Rohr E., Collaert N., Jurczak M., Hong S.H., Tseng J., Wang W.E., Trojman L., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Absil P., Hoffmann T.Y.
  • в сборнике Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, место издания IEEE DOI
• • 2011 UTBOX and ground plane combined with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> inserted in TiN gate for V<inf>T</inf> modulation in fully-depleted SOI CMOS transistors
  • Fenouillet-Beranger C., Perreau P., Casse M., Garros X., Leroux C., Martin F., Gassilloud R., Bajolet A., Tosti L., Barnola S., Andrieu F., Weber O., Beneyton R., Perrot C., de Buttet C., Abbate F., Pernet B., Campidelli Y., Pinzelli L., Gouraud P., Huguenin J.L., Borowiak C., Peru S., Clement L., Pantel R., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Boedt F., Denorme S., Faynot O., Skotnicki T., Boeuf F.
  • в сборнике Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, место издания IEEE DOI