|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
On the origin of the mobility reduction in bulk-Si, UTBOX-FDSOI and SiGe devices with ultrathin-EOT dielectricsстатья
- Авторы: Ragnarsson L.A., Mitard J., Kauerauf T., De Keersgieter A., Schram T., Rohr E., Collaert N., Jurczak M., Hong S.H., Tseng J., Wang W.E., Trojman L., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Absil P., Hoffmann T.Y.
- Сборник: Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
- Год издания: 2011
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/vtsa.2011.5872255
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович