Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Evlanova N.F.
Evlanova N.F.
IstinaResearcherID (IRID): 814619
–

Статьи в журналах

    • 2006 AFM study of the bulk photorefractive periodically poled LiNbO3 : Y : Fe crystal
    • Dyakov V.A., Yaminsky I.V., Gavrilko D.Yu, Evlanova N.F., Naumova I.I., Shur V.Ya
    • в журнале Ferroelectrics, издательство Taylor and Francis (United States), том 341, с. 131-136 DOI
    • 2006 Grown PPLN with small period: Selective chemical etching and AFM study
    • Naumova I.I., Evlanova N.F., Dyakov V.A., Chernevich T.G., Shustin O.A.
    • в журнале Journal of Materials Science: Materials in Electronics, издательство Springer Nature (Switzerland), том 17, № 4, с. 267-271
    • 2003 Regular domain structure in a lithium niobate crystal - Period stabilization
    • Naumova I.I., Evlanova N.F., Blokhin S.A., Chaplina T.O., Novikov A.A.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 48, № 4, с. 705-706 DOI
    • 2001 Slightly crosslinked poly(N-vinylcaprolactam) gels as the media for growth of copper(II) sulfate pentahydrate crystals
    • Nasimova I.R., Evlanova N.F., Makhaeva E.E., Khokhlov A.R.
    • в журнале Journal of Applied Polymer Science, издательство John Wiley & Sons Inc. (United States), том 81, № 12, с. 2838-2842 DOI

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь