Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Benazeth C.
Benazeth C.
IstinaResearcherID (IRID): 4140342
–

Статьи в журналах

    • 1997 Modification of near-surface silicon layers under cesium ion bombardment
    • Mashkova E.S., Molchanov V.A., Shulga V.I., Benazeth C., Benazeth N., Cafarelli P., Hou M., Eckstein W.
    • в журнале Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, том 12, с. 973-987
    • 1996 Interface formation in silicon by cesium bombardment
    • Mashkova E.S., Molchanov V.A., Shulga V.I., Benazeth C., Benazeth N., Cafarelli P., Eckstein W., Hou M.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 115, № 1-4, с. 519-522 DOI

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь