Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Rappich J.
Rappich J.
IstinaResearcherID (IRID): 847474
–

Доклады на научных конференциях

    • 2014 In-situ photoluminescence monitoring of silicon nanowire growth during metal assisted chemical etching (Стендовый)
    • Авторы: Georgobiani V.A., Gonchar K.A., Sokolov S.A., Osminkina L.A., Timoshenko V.Yu, Jerol U., Greil S.M., Rappich J.
    • European Materials Research Society (E-MRS), Spring Meeting, Lille, France, Франция, 2014

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь