Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Nikolskaya Alena
Nikolskaya Alena
IstinaResearcherID (IRID): 608711472
–

Статьи в журналах

    • 2023 Effect of Si+ ion implantation in α-Ga2O3 films on their gas sensitivity
    • Yakovlev N., Almaev A., Butenko P., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Nikolskaya A., Pechnikov A., Stepanov S., Boiko M., Chikiryaka A., Nikolaev V.
    • в журнале IEEE Sensors Journal, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 23, № 3 DOI
    • 2023 Effect of Si+ Ion Implantation in α-Ga2O3 Films on Their Gas Sensitivity
    • Yakovlev Nikita, Almaev Aleksei, Butenko Pavel, Tetelbaum David, Mikhaylov Alexey, Nikolskaya Alena, Pechnikov Aleksei, Stepanov Sergey, Boiko Mikhail, Chikiryaka Àndrei, Nikolaev Vladimir
    • в журнале IEEE Sensors Journal, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 23, № 3, с. 1885-1895

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь