–
Статьи в журналах
-
- 2009 Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control
- Romanjek K., Augendre E., Van Den Daele W., Grandchamp B., Sanchez L., Le Royer C., Hartmann J.M., Ghyselen B., Guiot E., Bourdelle K., Cristoloveanu S., Boulanger F., Clavelier L.
- в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 86, № 7-9, с. 1585-1588 DOI