–
Статьи в журналах
-
- 2020 Влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на однородность толщины зародышевых слоев GaN
- Никифоров М.О., Дедкова А.А., Рыгалин Б.Н.
- в журнале Известия высших учебных заведений. Электроника, издательство Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (Москва), том 25, № 3, с. 277-281 DOI