Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
dobdm
Добрынин Дмитрий Михайлович dobdm

Предыдущие места работы

МГУ имени М.В. Ломоносова Лаборатория "Криоэлектроника" (Физический факультет) студент с 1 сентября 2018 г. по 31 августа 2020 г.

Центр квантовых технологий (Физический факультет) специалист с 1 марта 2019 г. по 31 августа 2020 г.

IstinaResearcherID (IRID): 246185549
ORCID: 0000-0001-5419-9009
Статьи в журналах Доклады на научных конференциях
–

Статьи в журналах

    • 2020 Systematic method for studying single-electron transistors
    • Dobrynin D.M., Shorokhov V.V.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 128, № 3, с. 034301-034301 DOI
    • 2020 Correlated parallel electron transport in double- and triple-island single-electron transistors
    • Dobrynin D.M., Shorokhov V.V., Krupenin V.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1482 DOI

Доклады на научных конференциях

    • 2019 Исследование одноэлектронного транспорта через систему связанных зарядовых центров (Устный)
    • Авторы: Добрынин Д.М., Шорохов В.В., Крупенин В.А.
    • ХXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто - и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 25-30 ноября 2019

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь