Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
 Rudakov V.
 Rudakov V.
IstinaResearcherID (IRID): 1861441
–

Доклады на научных конференциях

    • 2014 Non-uniformly doped SOI based FETransistor with nanowire channel (Стендовый)
    • Авторы: Presnov D., Miakonkikh A., Bozhjev I., Rudakov V., Trifonov A., Krupenin V.
    • International conference «Micro- and Nanoelectronics - 2014» (ICMNE-2014), Moscow-Zvenigirod, Russia, Россия, 2014
    • 2012 Suspended Silicon Single-Electron Transistor
    • Авторы: Krupenin V., Presnov D., Amitonov S., Rudenko K., Rudakov V.
    • International Conference “Micro- and Nanoelectronics -2012”, ICMNE-2012, Москва, Эвенигород, Россия, 2012
    • 2012 Silicon Nanowire Field Effect Transistor With Highly Doped Leads
    • Авторы: Amitonov S., Presnov D., Rudenko K., Rudakov V., Krupenin V.
    • International Conference “Micro- and Nanoelectronics -2012”, ICMNE-2012, Москва, Эвенигород, Россия, 2012

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь