Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Gulzari U.A.
Gulzari U.A.
IstinaResearcherID (IRID): 162854123
–

Статьи в журналах

    • 2018 Analysis of Total Ionizing Dose effects for highly scaled CMOS devices in Low Earth Orbit
    • Sajid M., Chechenin N.G., Torres F.S., Hanif M.N., Gulzari U.A., Arslan S., Khang E.U.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 428, с. 30-37 DOI

ИСТИНА ПсковГУ
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь