Аннотация:В работе анализируются методы измерения времени жизни неравновесных носителей заряда полупроводниковых материалов, рекомендованные отечественными и международными стандартами. Приведено описание комплекта СОП «Гиредмет» постоянной времени релаксации фотопроводимости монокристаллического кремния (интервал времени релаксации от 17 до 1 588 мкс) и результаты измерений этого комплекта на установках бесконтактного СВЧ-метода измерения спада фотопроводимости, выпущенных тремя фирмами. Комплект регламентирует измерение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда (различие получено за счет изменения толщины образцов с непассивированной поверхностью), в то время как полупроводниковая отрасль нуждается в определении объемного времени жизни неравновесных носителей заряда. Проведен анализ значительных расхождений (до 95 %) результатов измерений с номиналами СОП. Предложена концепция создания эталона и ГСО времени жизни монокристаллического кремния.