Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием

Скипетров, Е.П.; Голованов, А.Н.; Слынько, Е.И.; Слынько, В.Е.

Авторы: Скипетров Е.П., Голованов А.Н., Слынько Е.И., Слынько В.Е.
Журнал: Физика низких температур
Том: 39
Номер: 1
Год издания: 2013
Издательство: Физ.-техн. ин-т низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины
Местоположение издательства: Харьков
Первая страница: 98
Последняя страница: 108
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях(4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb1–x–ySnxVyTe(x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия. Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V3Te4. В Pb1–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в Pb1–yVyTe и сплавах Pb1–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb1–x–ySnxVyTe при легировании.
Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ПсковГУ
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ПсковГУ

Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадиемстатья

Прикрепленные файлы