|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Photoinduced Annealing of Metastable Defects in Boron-Doped a-Si:H Filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 апреля 2015 г.
- Авторы: Kurova I.A., Ormont N.N., Gromadin A.L.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 37
- Номер: 2
- Год издания: 2003
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 131
- Последняя страница: 133
- Аннотация: The effect of illumination on the isothermal relaxation of slow photoinduced metastable defects (metastable electrically active impurity atoms) in boron-doped a-Si:H films has been studied. It was established that, under illumination, the kinetics of relaxation of these metastable defects is governed not only by their thermal annealing and photogeneration, but also by the process of photoinduced annealing.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна