Аннотация:В данной работе предлагаются методики получения количественной информации о параметрах де
фектов, наблюдаемых на проекционных топограммах, и получения основных параметров дефектов
по характеристикам дифракционного изображения, регистрируемого на проекционных топограм
мах (величина и характер поля смещений, глубина залегания дефектов под входной поверхностью
кристалла, пространственная ориентация и другие параметры). На примере прямолинейных дисло
каций, введенных в монокристалл кремния при пластическом изгибе, показана возможность такого
анализа дифракционных изображений на проекционных топограммах, позволяющая получать ос
новные характеристики дефектов.
DOI: 10.7868/S0207352813110206