|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Активационная проводимость в p GaAs/Al0.5Ga0.5As при комбинированном воздействии освещения и одноосной деформациитезисы доклада
- Авторы: Александров С.С., Ильевский А.А., Минина Н.Я.
- Сборник: Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2001
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 42
- Последняя страница: 42
- Аннотация: Исследована активационная проводимость в p GaAs/Al{0.5}Ga{0.5}As, которая возникает при освещении структуры красным светодиодом и сильно зависит от величины одноосного сжатия. Рост сопротивления в освещенном состоянии достигал двух порядков при нагрузке 4.4 кбар, тогда как в темновом состоянии сопротивление возрастало не более чем в два раза. Качественное объяснение эффекта проводится в рамках существования глубоких донороподобных уровней вблизи гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна