Структурные превращения N-, P- и Si-допированных малослойных графитовых фрагментов при искровом плазменном спекании и обработке плазмой

Суслова, Е.В.; Каримова, М.О.; Максимов, С.В.; Маслаков, К.И.; Исайкина, О.Я.

Авторы: Суслова Е.В., Каримова М.О., Максимов С.В., Маслаков К.И., Исайкина О.Я.
Журнал: Журнал физической химии
Том: 99
Номер: 12
Год издания: 2025
Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 1866
Последняя страница: 1875
DOI: 10.7868/S3034553725120103
Аннотация: Синтезированы N-, P- и Si-допированные малослойные графитовые фрагменты (МГФ) пиролизом ацетонитрила, трифенилфосфина и тетраметилсилана в присутствии темплата MgO. Полученные N-, P- и Si-МГФ консолидированы методом искрового плазменного спекания (ИПС) при 1100°C и 30 МПа, а также обработаны плазмой высокочастотного индукционного разряда. Материалы исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии, КР- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. В результате ИПС образцы N-, P- и Si-МГФ превращались в морфологически сложный и неоднородный материал с существенно меньшим содержанием гетероатомов относительно не спеченных N-, P- и Si-МГФ. Показано, что давление в процессе ИПС играет существенно меньшую роль по сравнению с резистивный нагревом. В результате нагрева происходит пробой и возникает плазма, способствующая фазовым превращениям. При обработке N-, P- и Si-МГФ плазмой высокочастотного индукционного разряда происходит их трансформация в N-допированные частицы луковичных углеродных структур (ЛУС) с размером ~10 нм и аморфный P-, Si-допированный углерод.
Добавил в систему: Маслаков Константин Игоревич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ПсковГУ
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ПсковГУ

Прикрепленные файлы