Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние вынужденного комбинационного рассеяния света на ширину линии диода, затянутого на частоту микрорезонатора
тезисы доклада
Авторы:
Голодухина А.Н.
,
Шитиков А.Е.
Сборник:
XXXII Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов—2025». Секция «Физика». Сборник тезисов
Тезисы
Год издания:
2025
Издательство:
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова
Местоположение издательства:
Москва
Первая страница:
351
Последняя страница:
353
Аннотация:
Основной целью данной работы является исследование влияния вынужденного ра-мановского рассеяния света на затягивание частоты лазерного диода на частоту высокодобротного микрорезонатора из нитрида кремния.
Добавил в систему:
Голодухина Алина Николаевна
Прикрепленные файлы
№
Имя
Описание
Имя файла
Размер
Добавлен