|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Численное моделирование элементов оптической памяти на основе материалов с фазовым переходомтезисы доклада
- Авторы: Колосов Г.А., Шорохов А.С., Федянин А.А.
- Сборник: XV МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОНИКЕ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ОПТИКЕ: Сборник научных трудов
- Тезисы
- Год издания: 2026
- Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 125
- Последняя страница: 126
- Аннотация: В работе была построена мультифизическая модель электрического многоуровневого переключения элементов оптической памяти на основе различных материалов с фазовым переходом. В частности, были рассмотрены: поглощающая плёнка Ge2Sb2Te5, преобразователь волноводных мод на основе Sb2Se3. С помощью полученной модели была рассчитана зависимость весового значения элементов памяти от напряжения программирования.
- Добавил в систему: Колосов Григорий Александрович