|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Эффект обратимого резистивного переключения в мемристорах на основе оксида гафниятезисы доклада
- Авторы: Жигунов Д.М., Мартышов М.Н., Швецов Б.С., Новосельцев А.И., Мацукатова А.Н., Савчук Т.П.
- Сборник: Нанофизика и наноэлектроника XXIX симпозиум 10 – 14 марта 2025 года, Нижний Новгород Тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2025
- Место издания: Нижний Новгород
- Первая страница: 295
- Последняя страница: 295
- Добавил в систему: Мартышов Михаил Николаевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|