|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
INFLUENCE OF Ar/He RATIO ON PLASMA COMPOSITION AND SILICON ETCHING KINETICS IN CF4- AND C4F8- BASED TERNARY MIXTURESстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2026 г.
- Авторы: Efremov Alexander M., Betelin Vladimir B., Kwon Kwang-Ho
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология
- Том: 68
- Номер: 6
- Год издания: 2025
- Издательство: Иван. химико-технол. ун-т
- Местоположение издательства: Иваново
- Первая страница: 41
- Последняя страница: 51
- DOI: 10.6060/ivkkt.20256806.7181
- Добавил в систему: Стамов Любен Иванович