Аннотация:В работе представлены экспериментальные результаты по синтезу наночастиц фазоизменяемого материала Ge2Sb2Te5 методом прямого лазерно-индуцированного переноса. В качестве донорного материала использовались тонкие пленки, полученные методом термического вакуумного осаждения, в качестве акцептора – кремниевые пластины. Лазерно-индуцированный перенос осуществлялся импульсным лазерным излучением суб-наносекундной длительности. Анализ морфологии, топологии и размеров полученных наночастиц проводился с помощью растровой электронной микроскопии. Анализ особенностей кластеризации проводился на основе уравнения Ланжевена. Показано, что наибольшее значение на формирование кластеров оказывает температурный режим при лазерном переносе, что объясняется тем, что кристаллические фазы исследуемого материала являются высокотемпературными. Результаты работы показывают возможность создания элемента на основе наночастиц с определенным распределением и размерами, как технологическую альтернативу устройствам на основе тонких пленок. Использование наночастиц позволит добиться энергетической эффективности, большей гибкости и плавности переключения, а также даст возможность реализовать нейроморфные и стохастические вычисления. Управляемая кластеризация позволит создавать переключаемые элементы с заданными свойствами, которые могут быть недоступны при использовании архитектур на основе тонких пленок.