Аннотация:ВЧ-магнетронным напылением с сопутствующей ионно-лучевой обработкой синтезированы тонкие плёнки оксида никеля NiO толщиной от 100 до 800 нм. Методом рентгеновской дифрактометрии показано существенное влияние плотности тока ионно-лучевой обработки на средний размер кристаллитов NiO, а также на параметры его кристаллической решётки. Методом z-сканирования с применением наносекундного лазера на длине волны 532 нм установлено, что плёнки обладают нелинейным поглощением. Показано, что существует оптимальная плотность тока ионно-лучевого облучения, при которой коэффициент нелинейного поглощения плёнок достигает максимального значения, а их удельное сопротивление принимает минимальное значение.