Highly reliable resistive switching based  on Li intercalation in Cu/(Co–Fe–B)x  (SiO2−z)100−x/LiNbO2−y/Cu  nanocomposite memristors for  neuromorphic computing

Iliasov, A.I.; Emelyanov, A.V.; Rylkov, V.V.; Matsukatova, A.N.; Kukueva, E.V.; Kuchumov, I.D.; Forsh, P.A.; Sitnikov, A.V.; Demin, V.A.; Kashkarov, P.K.; Kovalchuk, M.V.

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 октября 2025 г.

Авторы: Iliasov Aleksandr I., Emelyanov Andrey V., Rylkov Vladimir V., Matsukatova Anna N., Kukueva Elena V., Kuchumov Ivan D., Forsh Pavel A., Sitnikov Aleksandr V., Demin Vyacheslav A., Kashkarov Pavel K., Kovalchuk Mikhail V.
Журнал: Journal of Physics D - Applied Physics
Том: 58
Номер: 36
Год издания: 2025
Издательство: IOP Publishing
Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
Первая страница: 365305
Последняя страница: 365305
DOI: 10.1088/1361-6463/adfdf5
Добавил в систему: Форш Павел Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ПсковГУ
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ПсковГУ

Highly reliable resistive switching based on Li intercalation in Cu/(Co–Fe–B)x (SiO2−z)100−x/LiNbO2−y/Cu nanocomposite memristors for neuromorphic computingстатья

Прикрепленные файлы