Аннотация:Исследована фотопроводимость в полуизолирующих твердых растворах Pb1−xSnxTe(In) при воздействиимикроволнового излучения с частотой 48 ГГц в диапазоне температур 4.2−50 K. Обнаружено, что микроволновая фотопроводимость качественно отличается от наблюдавшейся ранее в этих полупроводникахфотопроводимости, возбуждаемой терагерцовым излучением с частотой f ≥ 0.6 ТГц. Показано, что специфическими особенностями микроволновой фотопроводимости являются отрицательный знак при низких температурах и отсутствие долговременной релаксации. Обсуждаются возможные механизмы, ответственные за наблюдаемый эффект.