|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Evolution of composition and topography of AIIIBV semiconductors during sputtering with argon ionsстатья
- Авторы: Ieshkin A.E., Tatarintsev A.A., Senatulin B.R., Skryleva E.A.
- Журнал: Semiconductors MAIK "Nauka/Interperiodica"
- Том: 58
- Номер: 12
- Год издания: 2024
- Первая страница: 623
- Последняя страница: 628
- DOI: 10.61011/SC.2024.12.60385.7328
- Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|