|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Динамика парамагнитных центров в оксиде гафния в процессе электронно-лучевого напылениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Константинова Е.А., Королёва А.В., Павликов А.В., Кытина Е.В., Ильин А.С., Мартышов М.Н.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Том: 80
- Номер: 3
- Год издания: 2025
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 2530501–1
- Последняя страница: 2530501–5
- Номер статьи: 2530501
- DOI: 10.55959/MSU0579-9392.80.2530501
- Аннотация: Обладающий высокой диэлектрической проницаемостью оксид гафния представляет интерес для использования в качестве мемристоров в электронике. В данной работе впервые выполнен сравнительный анализ типа и основных характеристик парамагнитных центров в серии образцов, которые прошли последовательные стадии синтеза: от исходного образца-мишени до пленки на подложке. Установлено, что основным типом дефектов в исследуемых материалах являются кислородные вакансии с неспаренным электроном (F + -центры). Обнаружено, что в процессе распыления мишени (кристаллического оксида гафния) концентрация F+ -центров уменьшается, вероятно, в процессе перезарядки. Установлено, что в напыленной пленке оксида гафния концентрация F+ -дефектов возрастает на порядок величины. Обнаруженный экспериментальный факт объясняется неупорядоченной (аморфной) структурой пленки.
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|