|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
ВОЗДЕЙСТВИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЛОЕВ V2O5 НА КИНЕТИКУ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ GAAS, СОСТАВ И МОРФОЛОГИЮ ВЫРАЩЕННЫХ ПЛЕНОКстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.
- Авторы: Томина Е.В., Сладкопевцев Б.В., Миттова И.Я., Зеленина Л.С., Донцов А.И., Третьяков Н.Н., Гудкова Ю.Н., Белашкова Ю.А.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 51
- Номер: 11
- Год издания: 2015
- Первая страница: 1228
- Последняя страница: 1228
- DOI: 10.7868/S0002337X15110123
- Аннотация: Установлены кинетика и механизм термооксидирования гетероструктур VxOy/GaAs, синтезированных нанесением геля V2O5 из аэрозоля на полупроводник, состава и морфологии поверхности сформированных оксидных пленок. Оксидирование исследованных образцов осуществляется по транзитному механизму, что подтверждается отсутствием регенерации ванадия в степени окисления +5 (данные РФА) и кинетическими параметрами процесса. По данным РФА, сформированные пленки содержат оксид ванадия (IV), оксиды галлия, мышьяка и арсенат галлия, что позволяет корректно описывать оптические постоянные дисперсионной формулой Коши и с высокой точностью проводить эллипсометрические измерения. В результате термооксидирования гетероструктур VxOy/GaAs формируются пленки с высотой рельефа поверхности, не превышающей 57 нм.
- Добавил в систему: Донцов Алексей Игоревич