Аннотация:Ранее в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCxdTe с x < 0.16, в которых реализуется инверсный электронный спектр, был обнаружен ряд нетривиальных фотоэлектрических эффектов под воздействием терагерцового излучения. Наиболее интригующим из таких эффектов является положительная фотопроводимость под воздействием импульсов лазерного терагерцового излучения при температуре Т = 4.2 К. Последнее означает, что амплитуда фотопроводимости не является симметричной функцией магнитного поля, приложенного в геометрии Фарадея (отсутствие Т-симметрии), а также несимметрична для эквивалентных пар потенциальных контактов, расположенных на противоположных сторонах холловского мостика (отсутствиетР-симметрии). В то же время, при одновременной инверсии направления магнитного поля и замене пары потенциальных контактов на зеркально расположенную относительно линии тока в холловском мостике амплитуда фотопроводимости не меняется, проявляя свойство РТ-симметрии.В предыдущих исследованиях было показано, что наблюдаемая особенность фотопроводимости присутствует и при возбуждении микроволновым излучением с энергией кванта излучения приблизительно на порядок величины ниже, чем в предыдущих экспериментах. Важно отметить, что само появление рассматриваемого эффекта противоречит видимой симметрии эксперимента. Кроме того, амплитуда асимметрии эффекта при возбуждении микроволновым излучением оказалась существенно ниже, чем при фотовозбуждении терагерцовым излучением. Таким образом, за появление эффектра РТ-симметричной фотопроводимости отвечает действие некоего внешнего фактора, природа которого до настоящего момента неясна.С целью проверки одной из гипотез о происхождении эффекта нами была разработана новая установка, которая позволяет проводить фотоэлектрические измерения при воздействии микроволнового излучения. Установка обладает следующими параметрами: температура образца может варьироваться от 4.2 до 300 К, возможно приложение «теплого» магнитного поля до 0.5 Тл, микроволновое излучение на образец мощностью до 10 мВт подается от диода Ганна с частотой от 30 до 50 ГГц. Излучение может подаваться как в геометрии Фарадея, так и в геометрии Фогта. Особенно важным свойством установки является возможность вращения образца in situ на 360 градусов как вокруг вертикальной, так и вокруг горизонтальной оси. Учитывая, что выходное излучение является линейно поляризованным, это свойство установки позволяет исследовать поляризационные зависимости фотоэлектрических эффектов.Отметим, что установка позволяет проводить измерения фотоэлектрических эффектов под воздействием микроволнового излучения не только в структурах на основе HgCdTe, но и в других полупроводниковых материалах с малой шириной запрещенной зоны.Предполагается, что будут представлены первые полученные на данной установке результаты
