|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
The peculiarities of direct gallium nitride growth on silicon substrates after surface passivation with gallium atoms and indium as a surfactantстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 октября 2025 г.
- Авторы: Seredin P.V., Goloshchapov D.L., Kosheleva O.K., Buylov N.S., Peshkov Y.A., Barkov K.A., Kersnovsky E.S., Mizerov A.M., Timoshnev S.N., Sobolev M.S., Serikov D.V., Chukavin A.I., Nevedomskiy V.N., Kukushkin S.A.
- Журнал: Applied Surface Science
- Том: 689
- Год издания: 2025
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 162571
- DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162571
- Добавил в систему: Чукавин Андрей Игоревич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|