Chemical vapor deposition of Tm3Fe5O12 epitaxial films, investigation of their structure and properties in the terahertz range

Markelova, M.N.; Hafizov, A.A.; Shi, X.; Graboy, I.E.; Shanin, M.S.; Konnikova, M.R.; Shkurinov, A.P.; Kaul, A.R.

Авторы: Markelova M.N., Hafizov A.A., Shi X., Graboy I.E., Shanin M.S., Konnikova M.R., Shkurinov A.P., Kaul A.R.
Журнал: Конденсированные среды и межфазные границы
Том: 27
Номер: 1
Год издания: 2025
Первая страница: 104
Последняя страница: 114
DOI: 10.17308/kcmf.2025.27/12488
Аннотация: В настоящей работе в целях поиска и разработки новых материалов спинтроники методом химического осаждения из паров металлорганических прекурсоров (MOCVD) получены тонкие пленки феррограната Tm3Fe5O12 на монокристаллических подложках Gd3Ga5O12(111) – GGG и Y3Al5O12(111) - YAG. Пленки Tm3Fe5O12 были исследованы методами рентгеновской дифракции, рентгеноспектрального микроанализа, спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) и терагерцовой (ТГц) импульсной спектроскопии.Показан эпитаксиальный характер пленок, осажденных на подложки обоих типов. Обнаружено, что рост гранатной пленки в высокотемпературных вакуумных условиях MOCVD на подложке GGG осложнен испарением оксида галлия, что становится причиной внедрения оксида железа в приповерхностный слой подложки, обогащения примыкающего слоя пленки оксидом тулия и образования нестехиометрического граната с антиструктурными дефектами. Сделан вывод о большей перспективности подложек YAG, поскольку гетероэпитаксия феррогранатов на них не имеет подобных осложнений.
Добавил в систему: Маркелова Мария Николаевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ПсковГУ
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ПсковГУ

Chemical vapor deposition of Tm3Fe5O12 epitaxial films, investigation of their structure and properties in the terahertz rangeстатья

Прикрепленные файлы