|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Dissociation of 1/3<10-11> misfit dislocation at the interface of α-Ga2O3 thin film deposited on m-plane sapphireстатья
- Авторы: Myasoedov A.V., Pavlov I.S., Morozov A.V., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikolaev V.I.
- Журнал: Materials Science in Semiconductor Processing
- Том: 184
- Год издания: 2024
- Издательство: Elsevier Ltd.
- Местоположение издательства: Amsterdam, Netherlands
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 6
- Номер статьи: 108778
- DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108778
- Добавил в систему: Морозов Анатолий Владимирович