|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Интеграция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в биполярный технологический процесс. Объемный кремнийстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Дюканов П.А., Кожухов М.В., Попов Д.А., Грушин А.И., Исмаил-Заде М.Р.
- Журнал: Успехи прикладной физики
- Том: 12
- Номер: 4
- Год издания: 2024
- Издательство: Научно-производственное объединение "ОРИОН"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 334
- Последняя страница: 342
- Аннотация: Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки адекватности модели транзистора проведен ряд измерений статических параметров экспериментальных образцов, в т. ч. в экстремальном диапазоне температур, изготовленных по рассчитанному технологическому маршруту. На основе полученных данных выбран наиболее оптимальный вариант по соотношению статических и динамических параметров.
- Добавил в систему: Павлов Юрий Сергеевич