|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Room-temperature Coulomb fingerprints in thin films of a Cu+SiO2 composite materialстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Gurevich S.A., Horenko V.V., Kupriyanov L.Y., Kupriyanov M.Y., Vasilevskaya T.N., Vyshenski S.V., Zarayskaya T.A.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 64
- Номер: 10
- Год издания: 1996
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 736
- Последняя страница: 741
- DOI: 10.1134/1.567290
- Аннотация: We study the room-temperature electrical properties of thin (similar or equal to 200 nm) SiO2 films with inclusions of Cu globules with radius similar or equal to 1 nm and separation similar or equal to 20 nm. Current-voltage curves taken across the film in different experimental arrangements show ''fingerprints'' that are fully reproducible within each setup. We observe multiple peaks with a height of similar or equal to 2 pA against the Ohm's-law background. The typical peak width is consistent with single-electron recharging of Cu globules. We interpret these data as self-selection of energetically favorable quasi-ID chains of globules, along which the current is mainly concentrated.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | JETP_Lett_1996_64_736.pdf | JETP_Lett_1996_64_736.pdf | 83,5 КБ | 16 февраля 2016 [mkupr] |