Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Noise characteristics of silicon FET with nanowire channel
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Presnov D.E.
,
Sapkov I.V.
,
Bojiev I.V.
,
Rjevskiy A.V.
,
Krupenin V.A.
Сборник:
Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, Book of Abstracts
Тезисы
Год издания:
2014
Место издания:
Institute of Physics and Technology of the RAS “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia
Первая страница:
P1-34
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич