Аннотация:Квазидвумерный дисульфид молибдена представляет собой перспективный полупроводниковый материал для создания элементов наноэлектроники благодаря тому, что ширина его запрещенной зоны может изменяться путем приложения механических напряжений, воздействия электрическим полем, а также легированием, которое можно осуществить при обработке. Однако, поскольку ионы плазмы могут приводить к деградации материала и появлению нежелательных изменений структуры, необходимо тщательно исследовать механизмы их взаимодействия с материалом, возникающие при этом эффекты и степень повреждения пленок. В настоящей работе с помощью динамического моделирования методом теории функционала плотности (DFT) с использованием алгоритмов молекулярной динамики было исследовано воздействие ионов N2+ с начальной энергией E0 от 5 до 30 эВ на монослой MoS2 для различных областей удара и начальных ориентаций налетающих частиц. Полученные результаты показали, что ионы N2+ с начальной энергией E0 ≤ 15 эВ не создают постоянных дефектов и отражаются от поверхности, в то время как частицы с энергией 20-30 эВ вызывают модификацию материала и образование в нем дефектов. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологии обработки квазидвумерных образцов MoS2 плазмой N2.
