|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Оптимизация конструкции охранных колец и удельного сопротивления эпитаксиальной плёнки мощного n-канального ДМОП-транзисторастатья
- Автор: Лагунович Н.Л.
- Журнал: Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
- Том: 65
- Номер: 1
- Год издания: 2020
- Издательство: Издательский дом «Беларуская навука»
- Местоположение издательства: Беларусь
- Первая страница: 97
- Последняя страница: 103
- DOI: 10.29235/1561-8358-2020-65-1-97-103
- Аннотация: Рассмотрен мощный n-канальный ДМОП-транзистор с пробивным напряжением сток-исток Uси проб свыше 800 В и пороговым напряжением от 2 до 5 В, по периметру которого при изготовлении часто формируют одно или несколько охранных колец для повышения пробивных напряжений. Описана оптимальная конструкция охранных колец, а также установлено значение удельного сопротивления эпитаксиальной пленки pv для получения требуемого значения Uси проб транзистора. Построена регрессионная модель, с помощью которой выбраны наиболее оптимальные варианты конструкции охранных колец исследуемого транзистора, и значение рѵ, в которой изготавливается прибор. Установлено, что применение пятимерного полинома второго порядка в качестве регрессионной модели дает возможность определить оптимальные значения топологических зазоров в области охранных колец и удельного сопротивления рѵ, позволяющие получать требуемые величины Uси проб транзистора. Экспериментальные значения пробивного напряжения сток-исток транзистора составили 876 и 875 В, а расчетные (при одинаковых параметрах построенной регрессионной модели) - соответственно 874 и 880 В, что составило погрешности 0,23 % и 0,57 %, то есть построенная модель дает хорошее согласование с экспериментальными данными. Установлено, что рѵ вносит более существенный вклад в значения пробивных напряжений транзистора, чем параметры конструкции охранных колец. Данный n-канальный ДМОП-транзистор, применяемый в различных электронных устройствах для энергетики, в мобильных телефонах, в составе высоковольтных интегральных микросхем AC/DC- и DC/DC-конвертеров и высоковольтных, высокостабильных LED-драйверов, был изготовлен в условиях производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» по разработанному автором технологическому маршруту.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна