Аннотация:Представлены результаты исследования магнитных свойств Co/Si/Co тон-
копленочных систем, полученных с помощью магнетронного распыления.
Обнаружено, что поле насыщения изучаемых трехслойных образцов осцил-
лирует по величине с изменением толщины кремниевого полупроводникового
слоя. Полученные данные объяснены структурными особенностями Co/Si/Co
образцов и наличием антиферромагнитного обменного взаимодействия между
магнитными слоями через Si разделительный слой.