Аннотация:Расчет технологических параметров областей высоковольтного РМОП-транзистора и режимов формирования этих областей проведен с помощью программы SSuprem4. Исход-ными данными для расчета являлись пробивное напряжение сток-исток транзистора в закрытом состоянии >80 В, пороговое напряжение в открытом состоянии – 0,8─1,8 В, ток стока свыше 0,5 мА в открытом состоянии при напряжении на затворе Vз=5 В. Проведен расчет зависимостей тока стока Ic от напряжения на затворе Vз с учетом разбросов по толщине подзатворного окисла (d=(75±5) нм) и удельного сопротивления эпитаксиальной пленки (ρv =(1,5±0,225) Ом∙см). Сравнительный анализ результатов моделирования с экспериментальными данными показал, что удельное сопротивление эпитаксиальной пленки n-типа 1,5 Ом∙см и толщина подзатворного окисла 75 нм позволяют получить допустимый уровень порогового напряжения исследованного РМОП-транзистора.