Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a high performance modular BiCMOS process - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a high performance modular BiCMOS processстатья

Авторы: King C.A., Frei M.R., Mastrapasqua M., Ng K.K., Kim Y.O., Johnson R.W., Moinian S., Martin S., Cong H.I., Klemens F.P., Tang R., Nguyen D., Hsu T.I., Campbell T., Molloy S.J., Fritzinger L.B., Ivanov T.G., Bourdelle K.K., Lee C., Chyan Y.F., Carroll M.S., Leung C.W.
Сборник: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318)
Год издания: 1999
Место издания: IEEE 1999
DOI: 10.1109/iedm.1999.824217
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович