|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Impact of a 10nm ultra-thin BOX (UTBOX) and ground plane on FDSOI devices for 32nm node and belowстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Fenouillet-Beranger C., Perreau P., Denorme S., Tosti L., Andrieu F., Weber O., Monfray S., Barnola S., Arvet C., Campidelli Y., Haendler S., Beneyton R., Perrot C., de Buttet C., Gros P., Pham-Nguyen L., Leverd F., Gouraud P., Abbate F., Baron F., Torres A., Laviron C., Pinzelli L., Vetier J., Borowiak C., Margain A., Delprat D., Boedt F., Bourdelle K., Nguyen B.Y., Faynot O., Skotnicki T.
- Журнал: Solid-State Electronics
- Том: 54
- Номер: 9
- Год издания: 2010
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 849
- Последняя страница: 854
- DOI: 10.1016/j.sse.2010.04.009
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович