Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
p-Type Ion Implantation in Tensile Si/Compressive Si<sub>0.5</sub>Ge<sub>0.5</sub>/Tensile Strained Si Heterostructures
статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Minamisawa R.A.
,
Buca D.
,
Holländer B.
,
Hartmann J.M.
,
Bourdelle K.K.
,
Mantl S.
Журнал:
Journal of the Electrochemical Society
Том:
159
Номер:
1
Год издания:
2011
Издательство:
Electrochemical Society, Inc.
Местоположение издательства:
United States
Первая страница:
H44
Последняя страница:
H51
DOI:
10.1149/2.060201jes
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович