Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Demonstration of improved transient response of inverters with steep slope strained Si NW TFETs by reduction of TAT with pulsed I-V and NW scaling
статья
Авторы:
Knoll L.
,
Zhao Q.T.
,
Nichau A.
,
Richter S.
,
Luong G.V.
,
Trellenkamp S.
,
Schafer A.
,
Selmi L.
,
Bourdelle K.K.
,
Mantl S.
Сборник:
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
Год издания:
2013
Место издания:
IEEE
DOI:
10.1109/iedm.2013.6724560
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович