Asymetrically strained high performance Germanium gate-all-around nanowire p-FETs featuring 3.5 nm wire width and contractible phase change liner stressor (Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf>)статья
-
Авторы:
Cheng Ran,
Liu Bin,
Guo Pengfei,
Yang Yue,
Zhou Qian,
Gong Xiao,
Dong Yuan,
Tong Yi,
Bourdelle Konstantin,
Daval Nicolas,
Delprat Daniel,
Nguyen Bich-Yen,
Augendre Emmanuel,
Yeo Yee-Chia
-
Сборник:
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
-
Год издания:
2013
-
Место издания:
IEEE
-
DOI:
10.1109/iedm.2013.6724699
-
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович