Аннотация:Представлены результаты исследования влияния отжига при 150◦С в инертной атмосфере (Ar +5% H2)на электрические свойства органических полевых транзисторов на основе пентацена. Кристаллическиепленки пентацена толщиной 95 ± 5 nm были получены с помощью вакуумного термического напыления.Исследованы передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов до и после отжига в течение15 h. Установлено, что в результате термической обработки дырочная подвижность в режиме насыщенияувеличилась в среднем на 30%, а пороговое напряжение уменьшилось приблизительно в 2 раза. По данным атомно-силовой микроскопии отжиг привел к снижению шероховатости поверхности пленок пентацена более чем в 2 раза, а также к заметному укрупнению зерен, что и привело к уменьшению концентрации ловушек для дырочного электротранспорта в канале полевого транзистора.