Аннотация:Ионное распыление, то есть удаление атомов поверхности при ионной бомбардировке – важный эффект, используемый для анализа поверхности. В работе представлен краткий обзор основных методов анализа, обсуждается проблема обратного преобразования распределения распыленных атомов по энергии и углам вылета. Для монокристалла (001) Ni была смоделирована эмиссия атомов на последней стадии распыления с использованием метода молекулярной динамики. Обсуждается возможность экспериментальной регистрации перефокусированных атомов и применение сдвигов максимума перефокусированных атомов для развития существующих методов анализа поверхности.