Аннотация:Исследована генерация терагерцового излучения в эпитаксиальных пленках
In0.53Ga0.47As/InP, выращенных в низкотемпературном режиме (low temperature growth–
LTG) . LTG-InGaAs структуры были получены на подложках InP с ориентациями (100) и
впервые (411)А при Tg = 200 °C и различных давлениях мышьяка. Исследованы морфология
поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и структурные
особенности с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Спектры
терагерцового излучения, генерируемого эпитаксиальными плёнками LT-InGaAs,
исследовались методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением (ТСВР)
при накачке волоконным фемтосекундным лазером с длиной волны 1.56 мкм. Показано, что
эффективность генерации излучения слоями LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3–5 раз
эффективнее, чем на подложках InP (100). При разработке излучающих терагерцовых
антенн в ТГц и ГГц диапазонах использование подложек InP с ориентацией (411)A может
оказаться более предпочтительным для получения LT-InGaAs.
