|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Current-voltage characteristics and magnetoresistance peculiarities in bismuth microbridgesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Arutyunov K.Y., Gitsu D.V., Kondrya E.P., Nikolaeva A.A., Rybalchenko L.F.
- Журнал: Physica B: Condensed Matter
- Том: 218
- Номер: 1-4
- Год издания: 1996
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 35
- Последняя страница: 38
- DOI: 10.1016/0921-4526(95)00552-8
- Аннотация: A technology of the fabrication of bismuth microbridges with controlled geometry and various degrees of perfection of diffuse transport of the carriers is realized. Peculiarities on d(2)V/dI(2)(V)P which give information about the microcontact of the bismuth spectrum, were observed at V = 4.1 mV and V = 11 mV. Some of the dV/dI(V) dependences at a large bias voltage reveal peculiarities connected with the superconductivity at T-c = 5.9 K.
- Добавил в систему: Арутюнов Константин Юрьевич