Аннотация:Полупроводниковые датчики состава газа на основе оксидов металлов характеризуются высокой чувствительностью и быстродействием при низком энергопотреблении. Особенности технологии изготовления данных преобразователей позволяют уменьшать их габаритные разме-ры, открывая широкие возможности для интеграции в мобильные устройства. При производстве полупроводниковых датчиков газа важ-ным этапом является формирование металлооксидного чувствитель-ного слоя, в частности процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и инте-гральных структур. В работе представлены результаты исследования экспериментальных образцов преобразователей состава газа с пори-стым газочувствительным слоем. Газочувствительный слой сформи-рован методом струйной микропечати суспензии на основе SnO2 с по-следующим отжигом. Проведено сравнение чувствительности экспе-риментальных образцов преобразователей состава газа с газочувстви-тельными слоями, сформированными из двух вариантов исходной суспензии: на основе чистого SnO2 и на основе SnO2, легированного Cr и Nb. Получена зависимость изменения проводимости эксперимен-тального образца интегрального преобразователя состава газа от кон-центрации H2 в воздушной среде. Установлено, что газочувствитель-ный слой на основе SnO2 с добавками Cr и Nb имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа за счет более высокой удельной площади поверхности и меньшей агло-мерации частиц.